در این تحقیق به بررسی ویژگی های مغناطیسی نانوذرات فریت 4O2MnFe ساخته شده به دو روش متفاوت پرداخته شده است. در روش اول، نانوذرات فریت منگنز به روش تجزیه حرارتی و با حرارت دادن نیترات های فلزی ساخته شدند. و در روش دوم نانوذرات به روش حلال گرمایی با استفاده از تری اتیلن گلیکول (TEG) تهیه شدند. نانوذرات سنتز شده با روش های مختلفی مشخصه یابی شدند. این روش ها شامل اندازه گیری الگوی پراش پرتوی ایکس، طیف فروسرخ، تهیه عکس های میکروسکوپ الکترونی عبوری و همچنین اندازه گیری منحنی های پذیرفتاری مغناطیسی در بسامد های مختلف و پسماند مغناطیسی در دمای 300 و 5 کلوین می باشد. نتایج منحنی حلقه پسماند، مغناطش و پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ها بیانگر نقش مؤثر حلال TEG روی بهبود ویژگی های مغناطیسی نانوذرات فریت می باشد. این آزمایش ها نشان می دهد که در دمای 300 کلوین، مغناطش اشباع نمونه ساخته شده به روش حلال گرمایی 46 درصد بیشتر از نمونه ساخته شده به روش تجزیه حرارتی است. این اختلاف در دمای 5 کلوین، به 60 درصد رسید. اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی و منحنی های مغناطش در دو مد سردسازی با اعمال میدان (FC) و بدون اعمال میدان (ZFC) نشان داد که نانوذرات ساخته شده به روش حلال گرمایی دارای ویژگی ابرپارامغناطیسی بوده و با کاهش دما به حالت قفل شده می روند. در حالی که نمونه ساخته شده به روش تجزیه حرارتی دارای برهم کنش های قوی بین ذره ای بوده و در دماهای پایین رفتار شیشه ابراسپینی از خود نشان می دهد.

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف انرژی رسانندگی اسپینی در فرکانس ثابت افزایش می یابد. در حالت اندرکنشی نمودارهای رسانندگی برحسب فرکانس دو قله دارند که یکی از قله ها مربوط به الکترون های اسپین بالا و دیگری مربوط به الکترون های اسپین پایین است. با افزایش مغناطش قله های مربوط به الکترون های اسپین بالا به سمت فرکانس های پایین تر و قله های مربوط به الکترون های اسپین پایین به سمت فرکانس های بالا تر منتقل می شوند. با افزایش گاف انرژی و قدرت اندرکنش کولنی قله های مربوط به الکترون های اسپین بالا واسپین پایین با هم به سمت فرکانس های بالا تر انتقال می یابند.

در این تحقیق نانوذرات فریت منگنز با فرمول MnFe_2-xCr_xO₄ (0.75، 0.5، 0.25، x=0) ساخته شد. ویژگی های ساختاری نمونه ها با پراش سنجی پرتو ایکس (XRD) و میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، همچنین ویژگی-های مغناطیسی با اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی و مغناطش سنج ارتعاشی (VSM) مورد بررسی قرار گرفت. آنالیز XRD نشان می دهدکه ساختار فریت اسپینلی با فازخالص در نمونه ها شکل گرفته است و با استفاده از معادله شرر اندازه بلورک ها در حدود 4 نانومتر به دست آمد. تصاویر FESEM نشان می دهد که ذرات کلوخه شده اند. نتایج VSM نشان می دهد که مغناطش نانوذرات با افزایش میزان آلایش کروم، کاهش می یابد. همچنین اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی متناوب نمونه ها نشان می دهد که پاسخ نمونه ها به میدان مغناطیسی خارجی به بسامد اعمالی وابسته است و پس از محاسبات و برازش داده ها مشخص شد که مواد ساخته شده در دماهای پایین رفتار ابرشیشه اسپینی با برهم کنش قوی بین نانوذرات دارند.

در این پژوهش با استفاده از روش نظری تابع گرین جریان های وابسته به اسپین در پیوندگاه بنزنی مورد مطالعه قرار گرفته است. پیوندگاه مولکولی، به سه نانو نوار گرافینی نیمه نامتناهی، تحت عنوان رابط های خروجی متصل شده است. به منظور شکستن تبهگنی الکترون ها با حالت های اسپینی متفاوت، میدان مغناطیسی تبادلی بر پیوندگاه مولکولی اعمال می شود. نتایج نشان می دهند که با انتخاب مناسب هندسه ی ساختار و همچنین با تنظیم پتانسیل های شیمیایی، جریان اسپینی خالص و همچنین جریان اسپینی کاملاً قطبیده، در یکی از رابط های خروجی ایجاد می شوند. مزیت بکارگیری مولکول بنزن در مرکز پیوندگاه پیدایش جریان خالص اسپینی در ولتاژهای متعدد است. در ادامه، جداسازی فضایی جریان های قطبیده اسپینی در پیوندگاه بنزنی بررسی شده است. نتایج نشان می دهند با در نظر گرفتن ساختار دیگری از پیوندگاه بنزنی و تنظیم مجدد پتانسیل های شیمیایی و همچنین شدت و موقعیت میدان مغناطیسی تبادلی، جریان غیرقطبیده ورودی به جریان های خروجی کاملاً قطبیده ی اسپینی تبدیل می شود، به طوریکه جریان های قطبیده ی عبوری از دو رابط خروجی دارای اسپین های متضاد هستند.

این مقاله مجموعه مطالبی است که در اولین مدارس تابستانی سیستمهای همبسته قوی در دانشگاه صنعتی اصفهان در تیرماه 1386 ارایه شده است. ابتدا مرور مختصری بر سیستمهای اسپینی و مغناطیسهای کوانتمی ارایه می شود. سپس روش قطری سازی دقیق (لنکزش) به شیوه آموزشی تشریح می گردد.این روش برای محاسبه خصوصیات حالت پایه مدلهای شبکه ای روی خوشه های محدود مناسب است. دو ویرایش از روش لنکزش  برای محاسبه حالتهای برانگیخته و همچنین محاسبه خصوصیات دمای محدود سیستمهای کوانتمی نیز توصیف می شود. مفاهیم اساسی گذار فاز کوانتمی در قالب مدل آیزینگ در میدان عرضی بحث می شود. سیمای فاز و خصوصیات بحرانی این مدل را با استفاده از روش بازبهنجارش کوانتمی توضیح می دهیم. قسمت اعظم مطالب این نوشته جنبه آموزشی دارد که توام با اشاره ای به تحقیقات اخیر آمده است.

ابر چنبره هایی وابسته به ابر مکعب های n بعدی طراحی و فرمول هایی برای زیر ساختار هایی از بعد های مختلف آن بدست آمده است.

در این تحقیق، ما خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین را در نانو ساختار مولکولی از طریق یک پل مولکولی نامتجانس فولرن و مولکول پنتاسن به عنوان پذیرنده و دهنده ی الکترون، جفت شده با دو الکترود نیمه نهایی مس، مورد بررسی قرار می دهیم. برای این منظور، هامیلتونی وابسته به اسپین، برای تک نوار تعیین شده و با استفاده از رهیافت تابع گرین در چارچوب بستگی قوی، وابستگی خواص ترابرد الکتریکی برهم کنش اسپین-مدار راشبا، و همچنین ولتاژ اعمالی را بر روی این ساختار به دست می آوریم. نتایج مستخرج از محاسبات نشان می دهد که قطبش اسپینی تا حدود 80% در کنترل اسپین الکترون ها فرودی، موثر است. این نانو ساختار نامتجانس مولکولی ممکن است در طراحی ادوات اسپینترونیکی مفید باشد.

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز-نیم رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به آن اعمال می شود، پهنای گاف انرژی قابل کنترل خواهد بود به طوری که با افزایش پهنا، گاف نواری افزایش می یابد. افزون بر این، با اعمال بی نظمی، شاهد کاهش رسانش و افزایش پهنای گاف نواری خواهیم بود. می توان با کنترل پارامترهایی مانند پهنای موثر، غلظت بی نظمی، بزرگی میدان الکتریکی و تبادلی گاف اسپینی سامانه را کنترل نمود.